Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi
Yıl: 2018 Cilt: 8 Sayı: 16 Sayfa Aralığı: 13 - 19 Metin Dili: Türkçe İndeks Tarihi: 09-01-2020
Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi
Öz: Memristörler, doğrusal ve zamanla değişmeyen devre elemanları kullanılarak yapılamayacak bazı analog uygulamalar için büyük bir potansiyel vaat eden non-lineer devre elemanlarıdır. Bilimsel literatürde bazı memristör tabanlı filtreler ve yükselteçler gibi analog uygulamalar incelenmiştir. Eviren ve evirmeyen memristor tabanlı yükselteçler de literatürde incelenmiştir. Bu çalışmada, literatürde bir ilk olarak, hem negatif hem de pozitif kazanç verebilen, opamplı ve memristör tabanlı bir devre önerilmiştir.
Anahtar Kelime: Konular:
emristor-Based Amplifiers with Non-Inverting and Inverting Gains
Öz: Memristors, which are nonlinear circuit elements, have a big potential to design analog circuits that can not be made using linear time-invariant circuit elements. In literature, some analog circuit applications such as memristor based filter and amplifier circuits have already been examined. Opamp based amplifiers has either negative or positive gains. Memristorbased inverting and non-inverting amplifiers have also been inspected in literature. In this study, for the first time in literature, it is shown how to make a new memristor-based amplifier which can give not only positive but also negative gains.
Anahtar Kelime: Konular:
Belge Türü: Makale Makale Türü: Araştırma Makalesi Erişim Türü: Erişime Açık
- Chua, L.O., “Memristor - the missing circuit element”, IEEE Trans Circuit Theory, 18, pp. 507-519, 1971.
- Strukov, D.B. Snider, G.S., Stewart, D.R., Williams, R.S., “The missing memristor found”, Nature, 453, pp. 80-83, 2008.
- T. Prodromakis, C. Toumazou “A Review on Memristive Devices and Applications “Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), 17th IEEE International Conference on, pp. 934 – 937, 2010.
- Y. V. Pershin, J. Martinez-Rincon, M. Di Ventra, ”Memory circuit elements: from systems to applications”, the Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, Vol.8, p.p. 441448, 2011.
- Berdan, R. , T. Prodromakis, and C. Toumazou. "High precision analogue memristor state tuning." Electronics letters 48.18 (2012): 1105-1107.
- Wei Yi, Frederick Perner, “Feedback write scheme for memristive switching devices” , Applied physics A 102.4 (2011): 973-982.
- S.Shin, K. Kim, S.-M. Kang, “Memristor Applications For Programmable Analog ICs”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 10, p.p. 266-274, 2010.
- Y. Pershin, M. Di Ventra, “Practical Approach to Programmable Analog Circuits With Memristors”, IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Vol. 57, p.p. 1857 – 1864, 2010.
- Wey, Todd A., and William D. Jemison. "Variable gain amplifier circuit using titanium dioxide memristors." IET circuits, devices & systems 5.1 (2011): 59.
- Yener, Suayb Cagri, Resat Mutlu, and H. Hakan Kuntman. "A new memristor-based low-pass filter topology and its smallsignal solution using MacLaurin series." Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 9.1-2 (2015): 266273.
- Yener, Şuayb Çagri, Reşat Mutlu, and H. Hakan Kuntman. "Performance Analysis of a Memristor-Based Biquad Filter Using a Dynamic Model" Informacije Midem- Journal of microelectronics electronic components and materials, 44.2 (2014): 109-118.
- Wait, John V., Lawrence P. Huelsman, and Granino Arthur Korn. Introduction to operational amplifier theory and applications. McGraw-Hill Companies, 1975.
- Biolek Z, Biolek D, Biolkova V. “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift”, Radioengineering 2009; 18: 210–214.
- Joglekar, Yogesh N., and Stephen J. Wolf., “The elusive memristor: properties of basic electrical circuits”, European Journal of Physics, vol.30, no.4, p.661, 2009.
- Karakulak E., Mutlu R., Uçar E., "Reconstructive sensing circuit for complementary resistive switches-based crossbar memories." Turkish Journal of Electrical Engineering & Computer Sciences 24.3 (2016): 1371-1383. Berdan, R., T. Prodromakis, and C. Toumazou. "High precision analogue memristor state tuning." Electronics letters 48.18 (2012): 1105-1107. Karakulak E., Mutlu R., Uçar E., “Sneak path current equivalent circuits and reading margin analysis of complementary resistive switches based 3D stacking crossbar memories”, MIDEM -Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, vol. 44, pp. 235-241, 2014.
APA | KARAKULAK E, MUTLU R, Uçar E (2018). Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. , 13 - 19. |
Chicago | KARAKULAK Ertuğrul,MUTLU REŞAT,Uçar Erdem Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. (2018): 13 - 19. |
MLA | KARAKULAK Ertuğrul,MUTLU REŞAT,Uçar Erdem Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. , 2018, ss.13 - 19. |
AMA | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. . 2018; 13 - 19. |
Vancouver | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. . 2018; 13 - 19. |
IEEE | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E "Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi." , ss.13 - 19, 2018. |
ISNAD | KARAKULAK, Ertuğrul vd. "Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi". (2018), 13-19. |
APA | KARAKULAK E, MUTLU R, Uçar E (2018). Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. EMO Bilimsel Dergi, 8(16), 13 - 19. |
Chicago | KARAKULAK Ertuğrul,MUTLU REŞAT,Uçar Erdem Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. EMO Bilimsel Dergi 8, no.16 (2018): 13 - 19. |
MLA | KARAKULAK Ertuğrul,MUTLU REŞAT,Uçar Erdem Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. EMO Bilimsel Dergi, vol.8, no.16, 2018, ss.13 - 19. |
AMA | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. EMO Bilimsel Dergi. 2018; 8(16): 13 - 19. |
Vancouver | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi. EMO Bilimsel Dergi. 2018; 8(16): 13 - 19. |
IEEE | KARAKULAK E,MUTLU R,Uçar E "Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi." EMO Bilimsel Dergi, 8, ss.13 - 19, 2018. |
ISNAD | KARAKULAK, Ertuğrul vd. "Memristör Tabanlı Negatif-Pozitif Kazanç Devresi". EMO Bilimsel Dergi 8/16 (2018), 13-19. |