Silisyum nanoteller maliyet-etkin olmayan sentezleme yöntemleriyle genellikle mekanikesneklik ve optiksel-geçirgenlik gibi bazı kritik önemdeki özelliklerden yoksun belirli altaslar üzerinde üretilir. Üzerinde sentezlendikleri altasların belirtilen bu özelliklerden yoksun olmaları Si nanotellerin potansiyel arastırma alanlarına kısıtlama getirmektedir. Bu proje kapsamında, düzensiz bir dagılımda ve düzenli bir yapıda Si nanotellerin Si alttas üzerinde üretilebilecegi ve bir polimer aracılıgıyla düzenleri korunacak sekilde bir çok tasıyıcı alttas üzerine basarılı bir sekilde transfer edilebilecegi gösterildi. Si-wafer üzerinde farklı uzunluktaki ve yogunluktaki dik yönelimli Si nanoteller Ag-pasta kaplı soda-kiraç-cam (SLG), geçirgen-iletken-oksit ve metal-folyo (Cu) altaslar üzerine basarılı bir sekilde transfer edildi. Belirtilen bu altaslar Si nanoteller için ohmik alt-kontak gibi bir fonksiyona sahip olup elektronik ve opto-elektronik aygıtların üretimi için temel bir gereksinimdir. Bu yöntem yüksek kristal derecesindeki yarıiletken materyallerle maliyet etkin aygıtların olusturulmasına olanak saglamaktadır. Bu aynı zamanda yeni nesil yüksek verimlilikli çekirdek-kabuk mimarisindeki günes hücrelerin insa edilmelerinde kritik bir adım olarak görülmektedir. Sentezlenen ve farklı alttaslara transfer edilen düzenli ve düzensiz yapıdaki nanotellerin uygulaması olarak bir CZTS ince film katmanıyla dekore edilerek üçüncü nesil günes hücreleri üretildi. Aynı malzeme kombinasyonu ile üretilen aygıtlar içerisinde en yüksek verim (% 1.31) düzensiz bir dagılımda sentezlenen Si nanotellerle basarıldı. Önerilen günes hücresi yapısında kabuki katman olarak görev alan CZTS ince filmlerin üretimi için yeni bir üretim rotası test edildi. Bu rota Bridgman yöntemiyle CZTS tek Kristal üretimi ve electron-demetiyle ince film kaplama kombinasyonuna dayanmakta olup su ana kadar literatürde arzu edilen stokometrilerde CZTS filmlerin eldesinde rapor edilen karsılasılan bütün sorunlara çözüm getirebilmektedir. Arzu edilen stokometrilerde CZTS kristalleri Bridgman yöntemiyle basarılı bir sekilde büyütüldü. Büyütülen CZTS tek Kristal külçelerden alınan bir miktar toz daha sonra electron-demeti yöntemi için kaynak olarak kullanılarak farklı stokometrilerde yüksek kalitede tek-faz CZTS ince filmlere dönüstürülmesi basarıldı.