0 1

Proje Grubu: TBAG Sayfa Sayısı: 29 Proje No: TBAG-1442 Proje Bitiş Tarihi: 28.02.1998 Metin Dili: Türkçe İndeks Tarihi: 29-07-2022

InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi

Öz:
Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^circ$C) tutulan cam tabanlar üzerine vakumda büyütülen ve sonrasında azot gazı altında tavlanan (100-200$^circ$C) n-InSe ince filmlerin karakterizasyonunda sıcaklık bağımlı mobilité ve iletkenlik; x-ışmı kırınımı, taramalı elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi gibi ölçüm teknikleri kullanılmıştır. Yapı ve optik özellik çalışmaları, düşük tutucu taban sıcaklıklarında kaplanan filmlerde InSe, $In_2Se_3$ ve $In_6Se_7$ fazlarının oluştuğunu; yüksek sıcaklıklarda $In_2Se_3$ fazının bulunmadığını; direk yasak enerji aralığı değerinin tutucu taban ve tavlama sıcaklığına bağlı olarak 1.21-1.38 eV arasında değiştiğini göstermiştir. 20-320 K arasında yapılan sıcaklık bağımlı iletkenlik ve mobilite ölçümlerinin sonuçları hazırlanan InSe ince filmlerdeki akım-geçiş mekanizmasının genel olarak 220 K'in üzerinde termiyonik emisyon; 100-200 K sıcaklık aralığında tünelleme; 100 K'in altında ise Mott'un değişken erimli hoplama modeline uyduğunu göstermiştir. Au, Pt, Ag, Bi, C kullanarak kalay oksit (TO) kaplı cam tabanlar üzerine hazırlanan InSe ince filmlere Schottky kontak oluşturulması çalışmaları sonucunda TO/InSe/Pt ve TO/InSe/C yapılarında diyot özelliği gözlenmiştir. Ayrıca, proje kapsamında oluşturulan sistem kullanılarak $Ag_3Ga_5Te_9$ ve $Ag_3In_5Se_9$ kristallerinin elektriksel karakterizasyonları da yapılmıştır. Sıcaklık bağımlı iletkenlik Ölçümlerinden her iki kristal için de farklı sıcaklık aralıklarında üç farklı safsızlık iyonizasyon enerji değeri belirlenmiş, elektriksel iletkenliğin safsızlık iyonizasyonuna bağlı olduğu gözlenmiştir.
Anahtar Kelime:

Konular: Fizik, Uygulamalı Malzeme Bilimleri, Kaplamalar ve Filmler
Erişim Türü: Erişime Açık
APA ERÇELEBİ Ç, GÜNAL İ, ÖZKAN H, GASANLY N, ALLAKHVERDIEV K, Parlak M (1998). InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. , 1 - 29.
Chicago ERÇELEBİ Çiğdem,GÜNAL İbrahim,ÖZKAN Hüsnü,GASANLY Nizami,ALLAKHVERDIEV Kerim,Parlak Mehmet InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. (1998): 1 - 29.
MLA ERÇELEBİ Çiğdem,GÜNAL İbrahim,ÖZKAN Hüsnü,GASANLY Nizami,ALLAKHVERDIEV Kerim,Parlak Mehmet InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. , 1998, ss.1 - 29.
AMA ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. . 1998; 1 - 29.
Vancouver ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. . 1998; 1 - 29.
IEEE ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M "InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi." , ss.1 - 29, 1998.
ISNAD ERÇELEBİ, Çiğdem vd. "InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi". (1998), 1-29.
APA ERÇELEBİ Ç, GÜNAL İ, ÖZKAN H, GASANLY N, ALLAKHVERDIEV K, Parlak M (1998). InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. , 1 - 29.
Chicago ERÇELEBİ Çiğdem,GÜNAL İbrahim,ÖZKAN Hüsnü,GASANLY Nizami,ALLAKHVERDIEV Kerim,Parlak Mehmet InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. (1998): 1 - 29.
MLA ERÇELEBİ Çiğdem,GÜNAL İbrahim,ÖZKAN Hüsnü,GASANLY Nizami,ALLAKHVERDIEV Kerim,Parlak Mehmet InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. , 1998, ss.1 - 29.
AMA ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. . 1998; 1 - 29.
Vancouver ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi. . 1998; 1 - 29.
IEEE ERÇELEBİ Ç,GÜNAL İ,ÖZKAN H,GASANLY N,ALLAKHVERDIEV K,Parlak M "InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi." , ss.1 - 29, 1998.
ISNAD ERÇELEBİ, Çiğdem vd. "InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi". (1998), 1-29.