Çiğdem ERÇELEBİ
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
İbrahim GÜNAL
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
Hüsnü ÖZKAN
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
Nizami GASANLY
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
Kerim ALLAKHVERDIEV
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
Mehmet PARLAK
(Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye)
Proje Grubu: TÜBİTAK TBAG ProjeSayfa Sayısı: 29Proje No: TBAG-1442Proje Bitiş Tarihi: 28.02.1998Türkçe

0 0
InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi
Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^\circ$C) tutulan cam tabanlar üzerine vakumda büyütülen ve sonrasında azot gazı altında tavlanan (100-200$^\circ$C) n-InSe ince filmlerin karakterizasyonunda sıcaklık bağımlı mobilité ve iletkenlik; x-ışmı kırınımı, taramalı elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi gibi ölçüm teknikleri kullanılmıştır. Yapı ve optik özellik çalışmaları, düşük tutucu taban sıcaklıklarında kaplanan filmlerde InSe, $In_2Se_3$ ve $In_6Se_7$ fazlarının oluştuğunu; yüksek sıcaklıklarda $In_2Se_3$ fazının bulunmadığını; direk yasak enerji aralığı değerinin tutucu taban ve tavlama sıcaklığına bağlı olarak 1.21-1.38 eV arasında değiştiğini göstermiştir. 20-320 K arasında yapılan sıcaklık bağımlı iletkenlik ve mobilite ölçümlerinin sonuçları hazırlanan InSe ince filmlerdeki akım-geçiş mekanizmasının genel olarak 220 K'in üzerinde termiyonik emisyon; 100-200 K sıcaklık aralığında tünelleme; 100 K'in altında ise Mott'un değişken erimli hoplama modeline uyduğunu göstermiştir. Au, Pt, Ag, Bi, C kullanarak kalay oksit (TO) kaplı cam tabanlar üzerine hazırlanan InSe ince filmlere Schottky kontak oluşturulması çalışmaları sonucunda TO/InSe/Pt ve TO/InSe/C yapılarında diyot özelliği gözlenmiştir. Ayrıca, proje kapsamında oluşturulan sistem kullanılarak $Ag_3Ga_5Te_9$ ve $Ag_3In_5Se_9$ kristallerinin elektriksel karakterizasyonları da yapılmıştır. Sıcaklık bağımlı iletkenlik Ölçümlerinden her iki kristal için de farklı sıcaklık aralıklarında üç farklı safsızlık iyonizasyon enerji değeri belirlenmiş, elektriksel iletkenliğin safsızlık iyonizasyonuna bağlı olduğu gözlenmiştir.

TÜBİTAK ULAKBİM Ulusal Akademik Ağ ve Bilgi Merkezi Cahit Arf Bilgi Merkezi © 2019 Tüm Hakları Saklıdır.